[实用新型]智能老化负载有效
申请号: | 201521017826.5 | 申请日: | 2015-12-09 |
公开(公告)号: | CN205263281U | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 严海林;吴海燕;方洁苗 | 申请(专利权)人: | 浙江榆阳电子有限公司 |
主分类号: | G01R31/40 | 分类号: | G01R31/40 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 沈孝敬 |
地址: | 314500 浙江省嘉兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种智能老化负载,包括主功率MOSFET、MCU、CC控制模块、CV控制模块、模式转换开关模块、电流采样模块、电压采样模块、电压选择模块、串转并信号模块、显示模块和按键模块。本实用新型通过电流采样模块和电压采样模块采集电流和电压信号,然后和预设的指标比较,通过动态调整14脚PWM的占空比,来调节主功率MOSFET的G极信号,实现全程老化过程中负载的精确恒定。本实用新型采用数字电路和模拟电路配合,由MCU单片机实现全程控制,达到动态改变老化模式的要求,并通过按键自主设置对应的老化指标,实现单独的指标设置和报警功能。本实用新型成本低廉,配置灵活,人工成本需求低,并可以为不同规模的企业带来极高的生产效率。 | ||
搜索关键词: | 智能 老化 负载 | ||
【主权项】:
智能老化负载,包括主功率MOSFET、MCU、CC控制模块、CV控制模块、模式转换开关模块、电流采样模块、电压采样模块、电压选择模块、串转并信号模块、显示模块和按键模块,所述的主功率MOSFET的漏、源极分别连接到被老化电源的输出端与地之间,其特征在于:所述的电流采样模块采集主功率MOSFET的源极电流信号,并输出电流采样信号到MCU;所述的电压采样模块采集主功率MOSFET的漏极电压信号,并输出电压采样信号到电压选择模块;所述的电压选择模块接收MCU的控制信号,选择相应的电压采样信号,并输出到CV控制模块和MCU;所述的MCU检测到电流采样信号和电压采样信号,产生PWM控制信号控制所述的CC控制模块、CV控制模块和模式转换开关模块;所述的CC控制模块接收MCU输出的PWM控制信号,经运放后输出到模式转换开关模块;在模式转换开关模块切换到恒流模式时,驱动主功率MOSFET;所述的CV控制模块接收MCU输出的PWM控制信号,经运放后输出到模式转换开关模块;在模式转换开关模块切换到恒压模式时,驱动主功率MOSFET;所述的模式转换开关根据MCU的控制信号,选择导通CC控制模块和CV控制模块的输出信号,通过动态调整PWM的占空比来调节所述的主功率MOSFET的栅极信号实现被老化电源的老化测试;所述的串转并信号模块接收MCU输出的串行信号并转化为并行输出到显示模块。
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