[实用新型]带缓冲的肖特基二极管

摘要

本实用新型涉及一种带缓冲的肖特基二极管。目前规肖特基二极管中，欧姆接触电极位于衬底底部，电流沿垂直方向输运，耗尽层也在垂直方向承受反向电压，同条件下与横向导电结构相比，纵向导电结构可以实现更高的击穿电压。本实用新型组成包括：衬底（1），所述的衬底上方设置有过度外延层（2），所述的过度外延层上方设置有外延层（3），所述的外延层的上方设置有缓冲层（4），所述的缓冲层上方设置有氮化物半导体层（5），所述的氮化物半导体层上方设置有A金属阳极（6）以及B金属阳极（7），所述的氮化物半导体层上方设置有绝缘层（8），所述的衬底下方设置有阴极（9）。本实用新型应用于。

主权项

一种带缓冲的肖特基二极管，其组成包括：衬底，其特征是：所述的衬底上方设置有过度外延层，所述的过度外延层上方设置有外延层，所述的外延层的上方设置有缓冲层，所述的缓冲层上方设置有氮化物半导体层，所述的氮化物半导体层上方设置有A金属阳极以及B金属阳极，所述的氮化物半导体层上方设置有绝缘层，所述的衬底下方设置有阴极。