[实用新型]GaN器件有效
| 申请号： | 201521048522.5 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN205211758U | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰;陈汝钦 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种GaN器件，其包括衬底以及在衬底上由下至上依次形成的AlN成核层、P型轻掺杂AlXGa1-XN渐变层、N型GaN外延层和器件结构层，P型轻掺杂AlXGa1-XN渐变层与N型GaN外延层形成PN结耗尽区。通过上述方式，本实用新型能够减少AlN与GaN的界面处的缺陷,并降低器件泄露电流。 | ||
| 搜索关键词： | gan 器件 | ||
【主权项】：
一种GaN器件，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底上由下至上依次形成的AlN成核层、P型轻掺杂AlXGa1‑XN渐变层、N型GaN外延层和器件结构层，所述P型轻掺杂AlXGa1‑XN渐变层与所述N型GaN外延层形成PN结耗尽区。
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