[实用新型]一种高亮度正装发光二极管有效
| 申请号： | 201521057479.9 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN205264742U | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 杜治新;朱文斌;吴飞翔 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高亮度正装发光二极管，涉及发光二极管技术领域。本实用新型包括衬底以及置于衬底上方依次由N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层组成的发光结构。在N型半导体层上的一端置有N型电极，透明导电层上、与N型电极相对的另一端置有P型电极。其结构特点是，所述P型半导体层分割成若干块P型半导体层分区，所述透明导电层相应的分割成若干块透明导电层分区。分离的P型半导体层分区和覆盖在P型半导体层分区上方的透明导电层分区组成P型欧姆接触层分区，P型欧姆接触层分区之间依次通过P电极延伸线连接。同现有技术相比，本实用新型改善了正装芯片的电流分布状况，同时改变了正装芯片出光表面的物理结构，有利于提高LED发光亮度和降低器件的整体压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种高亮度正装发光二极管，它包括衬底（1）以及置于衬底（1）上方依次由N型半导体层（2）、发光层（3）、P型半导体层和透明导电层组成的发光结构，在N型半导体层（2）上的一端置有N型电极（7），透明导电层上、与N型电极（7）相对的另一端置有P型电极（6），其特征在于：所述P型半导体层分割成若干块P型半导体层分区（41），所述透明导电层相应的分割成若干块透明导电层分区（51），分离的P型半导体层分区（41）和覆盖在P型半导体层分区（41）上方的透明导电层分区（51）组成P型欧姆接触层分区，P型欧姆接触层分区之间依次通过P电极延伸线（61）连接。
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