[实用新型]一种晶体生长的坩埚盖有效
| 申请号： | 201521058452.1 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN205313718U | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 黄小卫;杨敏;赵慧彬;柳祝平 | 申请（专利权）人： | 福建鑫晶精密刚玉科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00 |
| 代理公司： | 泉州劲翔专利事务所(普通合伙) 35216 | 代理人： | 林枫 |
| 地址： | 364000 福建省龙岩市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及的是晶体生长的坩埚盖，由圆形钼板压制而成的帽子状盖体，所述盖体分为两层，包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段，在顶层的中间开有一通孔。本结构采用单层圆形钼板压制而成，均衡冷坩埚内的保温性；钼板具有韧性强、成本低、热传导性能好等特点，有效保证晶体生长的高温环境；同时，单层钼板结构，还能使冷坩埚内晶体生长热辐射时产生纵向与横向的温度梯度差，以更准确的把握晶体在控径时的精确度，从而解决了晶体生长过程中温度偏差过大而产生的长角问题。本结构采用由钼板制成帽子状的双层结构，顶层与底层的间距确保晶体生长引晶及放肩过程有足够的提拉空间，确保了晶体生长放肩角度而保证晶体生长的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 坩埚 | ||
【主权项】：
一种晶体生长的坩埚盖，其特征在于，由圆形钼板压制而成的帽子状盖体，所述盖体分为两层，包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段，在顶层的中间开有一通孔。
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