[实用新型]一种温度梯度晶体生长下保温屏有效

专利信息
申请号: 201521060350.3 申请日: 2015-12-17
公开(公告)号: CN205329206U 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 黄小卫;杨敏;柳祝平;赵慧彬 申请(专利权)人: 福建鑫晶精密刚玉科技有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00
代理公司: 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人: 杨依展
地址: 364000 福建省龙岩市*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种温度梯度晶体生长下保温屏,包括若干圆环形的钼保温片、支撑钼杆、支撑钨柱、第一氧化锆保温块和第二氧化锆保温块;该若干钼保温片上下平行间隔同轴层叠布置,外径相同,内径由上层到下层依次由大变小且最下方两层钼保温片的内径相等,在中心形成一类倒圆锥形的通道;该若干支撑钼杆与各钼保温片固接;该支撑钨柱位于该若干钼保温片中央;该第二氧化锆保温块适配套接在支撑钨柱外且适配装接在该通道内;该第一氧化锆保温块适配套接在支撑钨柱外且放置在第二氧化锆保温块上。本实用新型的温度梯度晶体生长下保温屏结构设计简单,并能获得晶体稳定生长。
搜索关键词: 一种 温度梯度 晶体生长 保温
【主权项】:
一种温度梯度晶体生长下保温屏,其特征在于:包括若干圆环形的钼保温片、将该若干钼保温片固接在一起的若干支撑钼杆、支撑钨柱、第一氧化锆保温块和第二氧化锆保温块;该若干钼保温片上下平行间隔同轴层叠布置;该若干钼保温片外径相同,内径由上层到下层依次由大变小且最下方两层钼保温片的内径相等;该若干钼保温片相互配合以在中心形成一类倒圆锥形的通道;该若干支撑钼杆穿过各钼保温片且通过若干钼螺母与各钼保温片固接;该支撑钨柱位于该若干钼保温片中央且其轴线与各钼保温片的圆心轴线重合;该第一氧化锆保温块呈中央有孔的圆盘形;该第二氧化锆保温块呈中央有孔的类倒圆锥形;该第二氧化锆保温块适配套接在支撑钨柱外且适配装接在该通道内;该第一氧化锆保温块适配套接在支撑钨柱外且放置在第二氧化锆保温块上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建鑫晶精密刚玉科技有限公司,未经福建鑫晶精密刚玉科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201521060350.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top