[实用新型]基于MOCVD的有机源装置有效
申请号: | 201521063189.5 | 申请日: | 2015-12-18 |
公开(公告)号: | CN205223347U | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 刘恒山;刘慰华;冯猛;陈伟 | 申请(专利权)人: | 聚灿光电科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215123 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于MOCVD的有机源装置,包括若干MO有机源存储装置,每个MO有机源存储装置均设有进口和出口,第一个MO有机源存储装置上的进口、最后一个MO有机源存储装置上的出口、以及相邻的两个MO有机源存储装置中前一个MO有机源存储装置上的出口和后一个MO有机源存储装置上的进口之间均设有第一传输管道,载气从第一个MO有机源存储装置上的进口进入,依次经过若干MO有机源存储装置后从最后一个MO有机源存储装置上的出口携MO有机源输出至MOCVD反应室。本实用新型通过在载气传输管道上设置多个MO有机源存储装置,可以有效提高MO有机源的使用率;通过在传输管道上设置阀门,节省了更换MO有机源的生产时间,提升了生产效率,能够进一步降低成本。 | ||
搜索关键词: | 基于 mocvd 有机 装置 | ||
【主权项】:
一种基于MOCVD的有机源装置,其特征在于,所述有机源装置包括若干MO有机源存储装置,每个MO有机源存储装置均设有进口和出口,第一个MO有机源存储装置上的进口、最后一个MO有机源存储装置上的出口、以及相邻的两个MO有机源存储装置中前一个MO有机源存储装置上的出口和后一个MO有机源存储装置上的进口之间均设有第一传输管道,载气从第一个MO有机源存储装置上的进口进入,依次经过若干MO有机源存储装置后从最后一个MO有机源存储装置上的出口携MO有机源输出至MOCVD反应室。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的