[实用新型]一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置有效

专利信息
申请号: 201521075029.2 申请日: 2015-12-21
公开(公告)号: CN205329157U 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 陈一民;章曙东;樊子铭 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C23C16/455
代理公司: 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 代理人: 梁焱
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置,包括真空室、金属有机源输送管路、喷淋器、冷却器、衬底、加热器及氧气引入机构,金属有机源输送管路位于真空室顶部,喷淋器位于真空室内部并与金属有机源输送管路相连,冷却器位于喷淋器下方,氧气引入机构位于冷却器下方,衬底通过弧形板安装在真空室下部,加热器位于衬底及弧形板下方,衬底与氧气引入机构之间留有反应气体输送空间;氧气引入机构与衬底之间距离可调;氧气引入机构包括氧气入口和进气通道,氧气入口与进气通道相连通,进气通道上密布有若干喷淋孔;进气通道采用环状结构;喷淋孔的氧气喷射方向与喷淋器的金属有机源喷射方向平行且相反;在靠近喷淋器一侧的氧气引入机构上设置有隔热机构。
搜索关键词: 一种 基于 mocvd 技术 制备 rebco 超导 材料 装置
【主权项】:
一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置,其特征在于:包括真空室、金属有机源输送管路、喷淋器、冷却器、衬底、加热器及氧气引入机构,所述金属有机源输送管路位于真空室顶部,所述喷淋器位于真空室内部并与金属有机源输送管路相连,所述冷却器位于喷淋器下方,所述氧气引入机构位于冷却器下方,所述衬底通过弧形板安装在真空室下部,所述加热器位于衬底及弧形板下方,在衬底与氧气引入机构之间留有反应气体输送空间。
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