[实用新型]一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置有效
申请号: | 201521075029.2 | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN205329157U | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 陈一民;章曙东;樊子铭 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/455 |
代理公司: | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人: | 梁焱 |
地址: | 110819 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置,包括真空室、金属有机源输送管路、喷淋器、冷却器、衬底、加热器及氧气引入机构,金属有机源输送管路位于真空室顶部,喷淋器位于真空室内部并与金属有机源输送管路相连,冷却器位于喷淋器下方,氧气引入机构位于冷却器下方,衬底通过弧形板安装在真空室下部,加热器位于衬底及弧形板下方,衬底与氧气引入机构之间留有反应气体输送空间;氧气引入机构与衬底之间距离可调;氧气引入机构包括氧气入口和进气通道,氧气入口与进气通道相连通,进气通道上密布有若干喷淋孔;进气通道采用环状结构;喷淋孔的氧气喷射方向与喷淋器的金属有机源喷射方向平行且相反;在靠近喷淋器一侧的氧气引入机构上设置有隔热机构。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 mocvd 技术 制备 rebco 超导 材料 装置 | ||
【主权项】:
一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置,其特征在于:包括真空室、金属有机源输送管路、喷淋器、冷却器、衬底、加热器及氧气引入机构,所述金属有机源输送管路位于真空室顶部,所述喷淋器位于真空室内部并与金属有机源输送管路相连,所述冷却器位于喷淋器下方,所述氧气引入机构位于冷却器下方,所述衬底通过弧形板安装在真空室下部,所述加热器位于衬底及弧形板下方,在衬底与氧气引入机构之间留有反应气体输送空间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北大学,未经东北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201521075029.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种带钢用全方位酸洗装置
- 下一篇:一种锂云母熟料破碎浸出一体机
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的