[实用新型]供液装置及湿法刻蚀设备有效
申请号: | 201521076468.5 | 申请日: | 2015-12-18 |
公开(公告)号: | CN205211717U | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 喻畅;董明;钱文明 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 300385 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种供液装置及湿法刻蚀设备,所述供液装置包括储液槽、喷嘴、连通喷嘴与储液槽的供液管道以及设置在供液管道上的抽液泵,还包括设置在储液槽中的虹吸腔、连通虹吸腔与喷嘴的虹吸管道、设置在虹吸管道上的虹吸控制阀、连通虹吸腔与抽液泵的细流注入管道以及设置在细流注入管道上的辅助阀,所述细流注入管道连接虹吸腔的一端设置在所述虹吸控制阀与虹吸腔之间的虹吸管道上并与虹吸管道连通,喷嘴的最低点高于虹吸腔的最高点。所述供液装置利用虹吸腔与高处的喷嘴之间的虹吸现象,来对喷嘴周围漏液进行负压虹吸,使其不再滴落,避免造成污染;还利用该虹吸现象使喷嘴中的液体回流至虹吸腔,避免频繁更换倒吸阀的工艺成本。 | ||
搜索关键词: | 装置 湿法 刻蚀 设备 | ||
【主权项】:
一种供液装置,包括储液槽、喷嘴、连通所述喷嘴与所述储液槽的供液管道以及设置在所述供液管道上的抽液泵,其特征在于,所述供液装置还包括设置在所述储液槽中的虹吸腔、连通所述虹吸腔与所述喷嘴的虹吸管道、设置在所述虹吸管道上的虹吸控制阀、连通所述虹吸腔与所述抽液泵的细流注入管道以及设置在所述细流注入管道上的辅助阀,所述细流注入管道连接所述虹吸腔的一端设置在所述虹吸控制阀与所述虹吸腔之间的虹吸管道上并与所述虹吸管道连通,所述喷嘴的最低点高于所述虹吸腔的最高点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造