[实用新型]无掺杂元素的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置有效
| 申请号： | 201521078544.6 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN205313717U | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王利忠;李斌;王英民;魏汝省;毛开礼;徐伟;戴鑫;马康夫;周立平;付芬;田牧;侯晓蕊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 山西科贝律师事务所 14106 | 代理人： | 陈奇 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种无掺杂元素的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置，解决了低杂质的高纯碳化硅晶体生产的难题。包括高纯石墨坩埚（2），在高纯石墨坩埚（2）的外侧面上设置有石墨毡保温层（7），在石墨毡保温层（7）上分别设置有下测温孔（8）和上测温孔（9），在高纯石墨坩埚（2）的内腔顶部设置有石墨托（1），在石墨托（1）上设置有籽晶（4），在籽晶（4）上设置有生长后的碳化硅晶体（5），在高纯石墨坩埚（2）的腔内下部设置有SiC高纯粉料（3），在石墨托（1）与高纯石墨坩埚（2）的内腔内侧壁之间设置有小孔（6）。本实用新型目的通过降低背景中的杂质元素浓度来获得高纯碳化硅晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 元素 高纯 绝缘 碳化硅 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
一种无掺杂元素的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置，包括高纯石墨坩埚（2），在高纯石墨坩埚（2）的外侧面上设置有石墨毡保温层（7），在石墨毡保温层（7）上分别设置有下测温孔（8）和上测温孔（9），其特征在于，在高纯石墨坩埚（2）的内腔顶部设置有石墨托（1），在石墨托（1）上设置有籽晶（4），在籽晶（4）上设置有生长后的碳化硅晶体（5），在高纯石墨坩埚（2）的腔内下部设置有SiC高纯粉料（3），在石墨托（1）与高纯石墨坩埚（2）的内腔内侧壁之间设置有小孔（6）。
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