[实用新型]一种集热膜的真空镀膜设备

摘要

本实用新型涉及真空镀膜设备的领域，提供了集热膜的真空镀膜设备，包括腔体，腔体具有密闭腔室，腔室中设有滚筒组、卷绕于滚筒组上的基片箔膜以及与基片箔膜相对设置的弧源，弧源包括阴极和阳极，阴极上设有用于朝基片箔膜溅射金属等离子体的靶材，腔室连接有用于控制弧源电流的控制箱、用于对腔室抽真空的抽空装置和用于往腔室内通入氩气、氧气及氮气的混合气体的储气装置。上述集热膜的真空镀膜设备，通过对腔室内氩气、氧气及氮气的混合气体流量、基片箔膜的移动线速度、弧源的电流和基片箔膜的负偏电压进行调节，使金属等离子体于基片箔膜上均匀沉积，并形成集热膜。因此，其集热膜与基片箔膜的结合强度高，沉积速率高，集热效率高。

主权项

集热膜的真空镀膜设备，其特征在于，包括腔体，所述腔体具有密闭腔室，所述腔室中设有滚筒组、卷绕于所述滚筒组上的基片箔膜以及与所述基片箔膜相对设置的弧源，所述弧源包括阴极和阳极，所述阴极上设有用于朝所述基片箔膜溅射金属等离子体的靶材，所述腔室连接有用于控制所述弧源电流的控制箱、用于对所述腔室抽真空的抽空装置和用于往所述腔室内通入氩气、氧气及氮气的混合气体的储气装置。