[实用新型]一种太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201521095400.1 申请日: 2015-12-23
公开(公告)号: CN205211767U 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 王成;蒋方丹;金井升;金浩 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 罗满
地址: 314416 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请公开了一种太阳能电池,包括:多晶硅片;所述多晶硅片的上表面设置有具有第一凹坑深度的第一扩散层;所述第一扩散层的上表面设置有刻蚀层;所述刻蚀层的上表面设置有具有第二凹坑深度的第二扩散层,所述第二凹坑深度大于所述第一凹坑深度。本申请提供的上述太阳能电池,由于设置有两个扩散层,增大了表面的凹坑深度,能够增强对太阳光的吸收,减少因电池绒面表面光滑平整而使反射光损失,增加入射光在电池里面的光程,提高反射次数,从而提高电池的短路电流和开路电压,提高了转换效率。
搜索关键词: 一种 太阳能电池
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包括:多晶硅片;所述多晶硅片的上表面设置有具有第一凹坑深度的第一扩散层;所述第一扩散层的上表面设置有刻蚀层;所述刻蚀层的上表面设置有具有第二凹坑深度的第二扩散层,所述第二凹坑深度大于所述第一凹坑深度。
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