[实用新型]多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管有效
| 申请号： | 201521099514.3 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN205211747U | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏;钟晓明;陈亮;张力 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟实业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/488 |
| 代理公司： | 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 | 代理人： | 谭小容 |
| 地址： | 405200 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管，包括玻钝硅芯片(1)、两铜引线(2)和环氧塑封体(3)，玻钝硅芯片(1)至少为两个，且玻钝硅芯片(1)的小窗口面(1a)均朝向同一侧设置，相邻玻钝硅芯片(1)之间设置有铜粒(4)，且铜粒(4)与玻钝硅芯片(1)通过焊料(5)焊接固定，所有玻钝硅芯片(1)组合成多层玻钝硅芯片组，所述多层玻钝硅芯片组的两端分别通过焊料(5)与对应侧的铜引线(2)的内端头焊接，整个超高压二极管除铜引线(2)的外端头外，其余部分均在环氧塑封体(3)内。承受反向耐压的能力更强，能满足超高压的使用要求；在两个玻钝硅芯片之间增加铜粒进行焊接，以提高焊接牢固性。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 玻钝硅 芯片 轴向 封装 超高压 二极管 | ||
【主权项】：
一种多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管，包括玻钝硅芯片(1)、两铜引线(2)和环氧塑封体(3)，其特征在于：所述玻钝硅芯片(1)至少为两个，且玻钝硅芯片(1)的小窗口面(1a)均朝向同一侧设置，相邻玻钝硅芯片(1)之间设置有铜粒(4)，且铜粒(4)与玻钝硅芯片(1)通过焊料(5)焊接固定，所有玻钝硅芯片(1)组合成多层玻钝硅芯片组，所述多层玻钝硅芯片组的两端分别通过焊料(5)与对应侧的铜引线(2)的内端头焊接，整个超高压二极管除铜引线(2)的外端头外，其余部分均在环氧塑封体(3)内。
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