[实用新型]一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置有效
| 申请号： | 201521112053.9 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN205295538U | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 辛煜;王俊;唐成双 | 申请（专利权）人： | 辛煜;苏州八九昱昊材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 杨明 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置，用于对晶硅表面进行氧化处理，其特征在于，包括：羟基发生室(2)，内设有电解液以及浸入所述电解液中、分别与电源的正、负极连接的阳极体和阴极体，所述阳极体能够将羟基发生室(2)中部分电解液中的水分子分解成羟基和氢的自由基并混入该电解液中形成混合液；施加装置(4)，与所述羟基发生室(2)通过第一管道连通，所述第一管道上设有能够将所述羟基发生室(2)中的混合液输送到所述施加装置(4)上的第一动力装置，所述施加装置(4)能够将所述混合液施加到所述晶硅的表面。本实用新型通过电解水，将羟基混入电解液中形成乳化液，通过施加装置(4)，将含有羟基的乳化液直接喷淋在晶硅的上、下表面，使得晶硅的表面生成一定厚度的氧化膜，从而起到抗PID的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电势 诱导 衰减 效应 表面 氧化 装置 | ||
【主权项】：
一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置，用于对晶硅表面进行氧化处理，其特征在于，包括：‑羟基发生室(2)，内设有电解液以及浸入所述电解液中、分别与电源的正、负极连接的阳极体和阴极体，所述阳极体能够将羟基发生室(2)中部分电解液中的水分子分解成羟基和氢的自由基并混入该电解液中形成混合液；‑施加装置(4)，与所述羟基发生室(2)通过第一管道连通，所述第一管道上设有能够将所述羟基发生室(2)中的混合液输送到所述施加装置(4)上的第一动力装置，所述施加装置(4)能够将所述混合液施加到所述晶硅的表面。
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