[实用新型]一种高性能磁阻器件

摘要

本实用新型公开了一种高性能磁阻器件，包括第一电极、第二电极以及多个连接电极，设InSb薄膜圆盘为n个，连接电极为n+1个，第1个连接电极的一端与第一电极相连接，另一端跨过位于第1个InSb薄膜圆盘上的绝缘膜并与第1个InSb薄膜圆盘上的中心电极相连接，第x个连接电极的一端与第x-1个InSb薄膜圆盘上的环形电极相连接，另一端跨过位于第x个InSb薄膜圆盘上的绝缘膜并与第x个InSb薄膜圆盘上的中心电极相连接，第n+1个连接电极的一端与第n个InSb薄膜圆盘上的环形电极相连接，另一端与第二电极相连接。多个科比诺圆盘串联结构，取代传统长条形磁阻器件，在获得最大磁阻效应同时，又具备较大输入阻抗。

主权项

 一种高性能磁阻器件，其特征在于：它包括基底（1）、在所述基底（1）之上的依次排布的多个InSb薄膜圆盘（2）、在所述InSb薄膜圆盘（2）之上的环形电极（5）、在所述InSb薄膜圆盘（2）之上并位于所述环形电极（5）内侧的中心电极（6）、在所述环形电极（5）之上并部分覆盖环形电极（5）的绝缘膜（7），所述高性能磁阻器件还包括第一电极（3）、第二电极（4）以及多个连接电极（8），设所述InSb薄膜圆盘（2）为n个，所述连接电极（8）为n+1个，n≥2，并设1＜x≤n，n和x均为整数，第1个连接电极（8）的一端与所述第一电极（3）相连接，另一端跨过位于第1个InSb薄膜圆盘（2）上的绝缘膜（7）并与第1个InSb薄膜圆盘（2）上的中心电极（6）相连接，第x个连接电极（8）的一端与第x‑1个InSb薄膜圆盘（2）上的环形电极（5）相连接，另一端跨过位于第x个InSb薄膜圆盘（2）上的绝缘膜（7）并与第x个InSb薄膜圆盘（2）上的中心电极（6）相连接，第n+1个连接电极（8）的一端与第n个InSb薄膜圆盘（2）上的环形电极（5）相连接，另一端与所述第二电极（4）相连接。