[实用新型]一种具有延伸电极的磁敏器件有效
| 申请号： | 201521137548.7 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN205248317U | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 马可军;俞振中;郑律 | 申请（专利权）人： | 江苏森尼克电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L43/02;H01L27/22 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215634 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有延伸电极的磁敏器件，通过将电极从InSb薄膜上延伸至基底的上表面，而打线时则在电极的位于基底上表面的那一部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 延伸 电极 器件 | ||
【主权项】：
一种具有延伸电极的磁敏器件，它包括基底（1）、在所述基底（1）之上的形成所需芯片图案的InSb薄膜（2），其特征在于：所述的具有延伸电极的磁敏器件还包括至少两个电极（3），每个所述电极（3）的一部分位于所述InSb薄膜（2）上表面，另一部分延伸至所述基底（1）上表面。
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