[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
申请号: | 201580000937.1 | 申请日: | 2015-04-27 |
公开(公告)号: | CN105308748B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 中村明弘 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/14;H04N5/369;H04N5/372;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及固态成像装置和电子设备,其中,在不包括形成相位差用的遮光层的相位差像素中,无论图像高度如何均可以使相位差检测特性保持一致。固态成像装置包括像素阵列单元,在像素阵列单元中,多个像素二维地布置成矩阵构造。像素阵列单元中的一部分像素包括第一光电转换元件和第二光电转换元件,第一光电转换元件和第二光电转换元件构造成接收并光电转换入射光。第一光电转换元件的光接收特性分布的中心位置和第二光电转换元件的光接收特性分布的中心位置被构造成在像素阵列单元的中央部分和周边部分之间是相同的。例如,本发明的技术可以应用至固态成像装置。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固态成像装置,其包括:像素阵列单元,在所述像素阵列单元中,多个像素二维地布置成矩阵构造,其中,所述像素阵列单元中的一部分所述像素包括第一光电转换元件和第二光电转换元件,所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件被构造成接收并光电转换入射光,并且所述第一光电转换元件的光接收特性分布的中心位置和所述第二光电转换元件的光接收特性分布的中心位置被构造成在所述像素阵列单元的中央部分和周边部分之间是相同的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的