[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法有效
| 申请号： | 201580002735.0 | 申请日： | 2015-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105793988B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 梁兴龙;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 切割 性能 图像传感器 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层，其中，所述图像传感器还包括形成在所述凹槽中的疏水膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580002735.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
