[发明专利]具有分离沟道的漏极延伸的MOS晶体管有效
| 申请号： | 201580003146.4 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105830214B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 范卡特拉曼·普拉哈卡;伊葛·葛兹尼索夫 | 申请（专利权）人： | 经度快闪存储解决方案有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种包括漏极延伸的金属氧化物半导体(DEMOS)和低压金属氧化物半导体(LV_MOS)器件二者的电路及其制作方法。在一个实施例中，DEMOS器件包括第一沟道、栅极、第二沟道和漏极延伸部，其中第二沟道被分成第一部分和第二部分，并且其中第二沟道的第一部分在栅极下面终止，并且远离漏极延伸部被隔开。其他实施例也被描述。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分离 沟道 延伸 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种漏极延伸的金属氧化物半导体(DEMOS)器件，其包括第一沟道、栅极、第二沟道和漏极延伸部，其中所述第二沟道被分成第一部分和第二部分，并且其中所述第二沟道的所述第一部分在所述栅极下面终止并且远离所述漏极延伸部被隔开。
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