[发明专利]透明导电膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201580003746.0 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105874544B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 早川弘毅;口山崇 | 申请（专利权）人： | 株式会社钟化 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;G06F3/041;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 周欣,陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在透明膜基板上具有非晶质的透明电极层的透明导电膜。透明电极层由铟·锡复合氧化物构成，氧化锡的含量为3～12质量％，膜厚为15～30nm。透明电极层中，通过X射线光电子能谱测定求出的锡3d5/2的结合能ESn和铟3d5/2的结合能EIn在下述分析范围中满足下述(1)和(2)。分析范围在包含40原子％以上铟的区域中，除去膜厚方向上的与透明电极层的表面的距离d为0～3nm的区域后的区域；(1)结合能ESn与EIn的结合能差ESn－EIn的最小值Emin与结合能差ESn－EIn的最大值Emax相比，存在于透明电极层的表面侧；(2)最大值Emax与最小值Emin之差Emax－Emin为0.1eV以上。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电膜，其为在透明膜基板上具有非晶质的透明电极层的透明导电膜，所述透明电极层由铟·锡复合氧化物构成，氧化锡的含量为3～12质量％，膜厚为15～30nm，所述透明电极层中，通过X射线光电子能谱测定求出的锡3d5/2的结合能ESn和铟3d5/2的结合能EIn在下述分析范围中满足下述(1)和(2)：分析范围：在包含40原子％以上铟的区域中，除去膜厚方向上的与透明电极层的表面的距离d为0～3nm的区域后的区域；(1)所述结合能ESn与所述结合能EIn的结合能差ESn－EIn的最小值Emin与所述结合能差ESn－EIn的最大值Emax相比，存在于透明电极层的表面侧；(2)所述最大值Emax与所述最小值Emin之差Emax－Emin为0.1eV以上。
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