[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201580006909.0 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105981160B | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 胁山悟;城直树;清水完;林利彦;中村卓矢 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L27/146;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 梁兴龙;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置及其形成方法，所述半导体装置包括：具有第一电极的第一半导体元件；具有第二电极的第二半导体元件；在第二电极上形成的Sn系焊料微凸块；和与所述焊料微凸块相对的包括第一电极的凹状凸块焊盘，其中第一电极经由所述焊料微凸块和所述凹状凸块焊盘与第二电极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：具有第一电极的第一半导体元件；具有第二电极的第二半导体元件；在第二电极上形成的Sn系焊料微凸块；和在第一电极上形成的与所述焊料微凸块相对的凹状凸块焊盘，其中第一电极经由所述焊料微凸块和所述凹状凸块焊盘与第二电极连接。
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