[发明专利]图案形成方法、蚀刻方法、电子元件的制造方法及电子元件在审
| 申请号： | 201580007419.2 | 申请日： | 2015-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105980936A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 上羽亮介;井口直也;山中司;丹吴直纮;白川三千纮;加藤启太 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/40 | 分类号： | G03F7/40;G03F7/038;G03F7/039;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本东京港区*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种图案形成方法包括：(i)在基板上依次进行下述步骤(i-1)、下述步骤(i-2)及下述步骤(i-3)，而形成第1负型图案的步骤，(i-1)在基板上，使用感光化射线性或感放射线性树脂组合物(1)来形成第1膜的步骤，所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物(1)含有因酸的作用而导致极性增大、且对于包含有机溶剂的显影液的溶解性减少的树脂、(i-2)对第1膜进行曝光的步骤、(i-3)使用包含有机溶剂的显影液对经曝光的第1膜进行显影，而形成第1负型图案的步骤；(iii)至少在第1负型图案上，使用感光化射线性或感放射线性树脂组合物(2)来形成第2膜的步骤，所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物(2)含有因酸的作用而导致极性增大、且对于包含有机溶剂的显影液的溶解性减少的树脂；(v)对第2膜进行曝光的步骤；以及(vi)使用包含有机溶剂的显影液对经曝光的第2膜进行显影，至少在第1负型图案上形成第2负型图案的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 蚀刻 电子元件 制造 | ||
【主权项】：
一种图案形成方法，其包括：(i)在基板上依次进行下述步骤(i‑1)、下述步骤(i‑2)及下述步骤(i‑3)，而形成第1负型图案的步骤，(i‑1)在所述基板上，使用感光化射线性或感放射线性树脂组合物(1)来形成第1膜的步骤，所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物(1)含有因酸的作用而导致极性增大、且对于包含有机溶剂的显影液的溶解性减少的树脂、(i‑2)对所述第1膜进行曝光的步骤、(i‑3)使用包含有机溶剂的显影液对经曝光的所述第1膜进行显影，而形成所述第1负型图案的步骤；(iii)至少在所述第1负型图案上，使用感光化射线性或感放射线性树脂组合物(2)来形成第2膜的步骤，所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物(2)含有因酸的作用而导致极性增大、且对于包含有机溶剂的显影液的溶解性减少的树脂；(v)对所述第2膜进行曝光的步骤；以及(vi)使用包含有机溶剂的显影液对经曝光的所述第2膜进行显影，至少在所述第1负型图案上形成第2负型图案的步骤。
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