[发明专利]Si衬底上的Ⅲ‑N半导体层在审
| 申请号： | 201580008334.6 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN106133914A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 吕蒂斯·达吉斯;安德鲁·克拉克;南·范;埃德姆·阿尔昆 | 申请（专利权）人： | 全斯鲁森特公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/20;H01L29/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨青;穆德骏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在硅衬底上生长III‑N半导体材料的方法，包括在单晶硅衬底上生长外延稀土氧化物层、以及采用氮等离子体改性外延稀土氧化物层表面的步骤。所述方法进一步包括在外延稀土氧化物层的改性表面上生长低温外延氮化镓层、以及在低温外延氮化镓层上生长体外延III‑N半导体材料层的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | si 衬底 半导体 | ||
【主权项】：
一种在硅衬底上生长III‑N半导体材料的方法，所述方法包括步骤：提供单晶硅衬底；在所述硅衬底上生长外延稀土氧化物层，所述外延稀土氧化物层具有表面；利用氮终止所述外延稀土氧化物层的所述表面，形成氮原子模板；在所述外延稀土氧化物层的氮终止表面上生长III‑N材料层；以及在所述III‑N材料层上生长体外延III‑N半导体材料层。
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