[发明专利]具有两个辅助发射极导体路径的半导体模块有效

专利信息
申请号: 201580008490.2 申请日: 2015-01-14
公开(公告)号: CN106165095B 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: S.哈特曼;D.科泰特;S.基钦 申请(专利权)人: ABB瑞士有限公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L25/07;H03K17/082;H03K17/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张金金;姜甜
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要: 半导体模块(10)包括:至少一个半导体芯片(12),其包括至少一个半导体开关(14),该至少一个半导体开关(14)具有集电极(18)、发射极(22)和栅极(20);集电极端子(24),其连接到集电极(18);栅极端子(26),其连接到栅极(20);发射极端子(28),其经由具有发射极电感(32)的发射极导体路径(30)连接到发射极(22);辅助发射极端子(38),其连接到发射极(22);第一导体路径(34),其连接到发射极(22);和第二导体路径(36),其连接到发射极(22)具有与第一导体路径(34)不同的与发射极导体路径(30)的互感耦合。第一导体路径(34)和第二导体路径(36)能连接到辅助发射极端子(38)和/或第一导体路径(34)连接到辅助发射极端子(38)并且第二导体路径(36)连接到第二辅助发射极端子(44)。半导体开关(14)是IGBT,并且第一导体路径(34)和第二导体路径(36)中的每个包括桥接点(40),用于使相应导体路径连接到辅助发射极端子(38)。
搜索关键词: 具有 两个 辅助 发射极 导体 路径 半导体 模块
【主权项】:
1.一种半导体模块(10),其包括:至少一个半导体芯片(12),其包括至少一个半导体开关(14),所述至少一个半导体开关(14)具有集电极(18)、发射极(22)和栅极(20);集电极端子(24),其连接到所述集电极(18);栅极端子(26),其连接到所述栅极(20);发射极端子(28),其经由具有发射极电感(32)的发射极导体路径(30)连接到所述发射极(22);辅助发射极端子(38),其连接到所述发射极(22);第一导体路径(34),其连接到所述发射极(22);第二导体路径(36),其连接到所述发射极(22)且具有与所述第一导体路径(34)不同的与所述发射极导体路径(30)的互感耦合;所述第一导体路径(34)和所述第二导体路径(36)能连接到所述辅助发射极端子(38);其中所述半导体开关(14)是IGBT,并且其中所述第一导体路径(34)和所述第二导体路径(36)中的每个包括桥接点(40),其能够通过用于使相应导体路径连接到所述辅助发射极端子(38)的接合线而被短路。
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