[发明专利]抗蚀剂上层膜形成用组合物及使用该组合物的半导体装置的制造方法

摘要

本发明的课题在于提供半导体装置的制造工序中的光刻工艺所使用的抗蚀剂上层膜形成用组合物，所述组合物不与抗蚀剂混合，特别是在EUV曝光时阻断不理想的曝光用光、例如UV、DUV而仅选择性透射EUV，此外曝光后能够用显影液显影。该抗蚀剂上层膜形成用组合物包含聚合物(P)和作为溶剂的碳原子数8～16的醚化合物，所述聚合物(P)含有下述式(1)及式(2)所示的单元结构、且利用凝胶渗透色谱法测得的重均分子量为500～2,000。

主权项

1.一种抗蚀剂上层膜形成用组合物，其包含聚合物(P)和作为溶剂的碳原子数8～16的醚化合物，所述聚合物(P)含有下述式(1)及式(2)所示的单元结构、且利用凝胶渗透色谱法测得的重均分子量为500～2,000，式(1)或式(2)中，R¹及R²相同或不同，表示氢原子或碳原子数1～10的烷基，Q¹及Q²相同或不同，表示单键、酯键或酰胺键，其中，所述酯键为－C(＝O)－O－或－O－C(＝O)－，所述酰胺键为－NH－CO－或－CO－NH－，X²表示单键、碳原子数1～6的亚烷基或碳原子数6～14的亚芳基，R^1a表示碳原子数1～10的烷基，n1表示1～3的整数，m1表示0～2的整数。