[发明专利]多晶硅膜的形成方法有效
| 申请号： | 201580009505.7 | 申请日： | 2015-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN106062251B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 申承祐;郑愚德;赵星吉;崔豪珉;吴完锡;李郡禹;权赫龙;朴成真;金基镐;李康旭 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00;C23C16/02;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京纽盟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11456 | 代理人： | 许玉顺 |
| 地址： | 韩国京畿道龙*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及形成硅膜的方法，更详细地涉及在形成硅膜的工序中包含预处理工序的多晶硅膜形成方法。根据本发明的一实施例，硅膜形成方法在对蒸镀于基底上的非晶硅膜进行热处理而制作多晶硅膜的工序中，在热处理之前包括预处理工序，该预处理工序流过包含有N、C、O、B中任一种以上元素的预处理气体。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅膜的形成方法，其特征在于，在对蒸镀在基底上的非晶硅膜进行热处理来形成多晶硅膜的工序中，在上述热处理前包括如下的预处理工序：供给包含有N、C、O、B中任一种以上元素的预处理气体而使上述预处理气体热分解，从而使上述N、C、O、B中任一种与上述非晶硅膜所含的硅原子结合，所述预处理是在500℃、100torr的压力下进行。
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