[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜有效
| 申请号： | 201580009757.X | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN106029604B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/34;C23C14/58;H01L21/363 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艳;张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.20以上且0.49以下，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的非晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为4.0×1018cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2/V·s以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 溅射 以及 使用 得到 半导体 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物烧结体，其特征在于，含有作为氧化物的铟、镓和锌，由作为生成相的方铁锰矿型结构的In2O3相和除In2O3相以外的生成相构成，所述除In2O3相以外的生成相选自由β‑Ga2O3型结构的GaInO3相、β‑Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga，In)2O3相、β‑Ga2O3型结构的GaInO3相和Yb2Fe3O7型结构的In2Ga2ZnO7相、(Ga，In)2O3相和Yb2Fe3O7型结构的In2Ga2ZnO7相、以及β‑Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga，In)2O3相和Yb2Fe3O7型结构的In2Ga2ZnO7相所组成的组中，并且所述生成相中实质上不含有同系结构化合物，由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的所述镓的含量为0.20以上且0.49以下，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的所述锌的含量为0.0001以上且小于0.08。
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