[发明专利]含硼掺杂剂组合物、使用其来改善硼离子注入期间离子束电流和性能的系统和方法有效
| 申请号： | 201580010132.5 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106062918B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | A.K.辛哈;S.M.史密斯;D.C.海德曼;S.M.坎珀 | 申请（专利权）人： | 普莱克斯技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘辛;李炳爱 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种新颖的组合物、其用于在硼离子注入期间改善束电流的系统和方法。硼离子注入过程涉及使用特定浓度范围的B2H6、BF3和H2。选择B2H6以在活性氢离子种类的产生和注入期间使用的离子源操作电弧电压下具有比BF3的电离横截面高的电离横截面。氢允许更高水平的B2H6被引入BF3而不减少F离子清除。活性硼离子产生改善的束电流，其特征在于与由常规硼前体材料产生的束电流相比时维持或增大束电流水平而不招致离子源的退化。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 组合 使用 改善 离子 注入 期间 离子束 电流 性能 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂剂气体组合物，其包含：含硼掺杂剂气体组合物，其包含范围为0.1％‑10％的B2H6、范围为5％‑15％的H2并且余量为BF3，其中选择所述B2H6以在硼离子的产生和注入期间使用的离子源操作电弧电压下具有比所述BF3的电离横截面高的电离横截面；其中，与从BF3产生的束电流相比，所述含硼掺杂剂气体组合物增大硼离子束电流并延长离子源寿命。
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