[发明专利]半导体晶片加工用胶带和半导体晶片的加工方法

摘要

本发明涉及半导体晶片加工用胶带和半导体晶片的加工方法，该半导体晶片加工用胶带(10)贴合至表面具有高度为80μm以上的凹凸的半导体晶片而用于对该半导体晶片的背面进行磨削的工序，其中，在基材膜(1)上具有粘合剂层(3)，该粘合剂层(3)的厚度为所述半导体晶片表面的凹凸高度的25％～90％，且所述粘合剂层的厚度为所述半导体晶片加工用胶带(10)整体的厚度的25％以下。

主权项

一种半导体晶片加工用胶带，该半导体晶片加工用胶带贴合至表面具有高度为80μm以上的凹凸的半导体晶片而用于对该半导体晶片的背面进行磨削的工序，该半导体晶片加工用胶带的特征在于，在由紫外线固化型树脂构成的基材膜上具有粘合剂层，该粘合剂层的厚度为所述半导体晶片表面的凹凸高度的30%～90%，并且，所述粘合剂层的厚度为所述半导体晶片加工用胶带整体的厚度的25%以下，关于对所述半导体晶片加工用胶带的厚度方向赋予压缩应力时的应力减少率，测定施加50N的压缩应力时的位移量，由压缩应力达到50N起180秒后的应力值相对于压缩应力达到50N时的应力值之比来计算，该应力减少率为40%以上，所述基材膜上仅包含粘合剂层，或者所述基材膜上仅包含粘合剂层和锚固层，所述锚固层的厚度为0.5μm～10μm。