[发明专利]掺杂Mn的PZT系压电膜形成用组合物及掺杂Mn的PZT系压电膜有效
| 申请号： | 201580015871.3 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106104826B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 土井利浩;樱井英章;曽山信幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/318 | 分类号： | H01L41/318;C04B35/491;H01B3/12;H01L41/187 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于形成PZT系压电膜的组合物，该PZT系压电膜由掺杂Mn的复合金属氧化物所构成，所述组合物含有PZT系前体、二醇及聚乙烯吡咯烷酮，该PZT系前体包含构成所述复合金属氧化物的各金属原子，且所述组合物以如下比例含有所述PZT系前体：将所述组合物中的金属原子比表示为Pb:Mn:Zr:Ti时，Pb满足1.00～1.20、Mn满足0.002以上且小于0.05、Zr满足0.40～0.55、Ti满足0.45～0.60，且所述Zr与所述Ti的金属原子比的合计比例成为1。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 mn pzt 压电 形成 组合 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂Mn的PZT系压电膜形成用组合物，其为用于形成PZT系压电膜的组合物，该PZT系压电膜由掺杂Mn的复合金属氧化物所构成，所述掺杂Mn的PZT系压电膜形成用组合物含有PZT系前体、二醇、聚乙烯吡咯烷酮及碳原子数6以上且12以下的直链一元醇，该PZT系前体包含构成所述复合金属氧化物的各金属原子，且所述掺杂Mn的PZT系压电膜形成用组合物以如下比例含有所述PZT系前体：将所述组合物中的金属原子比表示为Pb:Mn:Zr:Ti时，Pb满足1.00～1.20、Mn满足0.002以上且小于0.05、Zr满足0.40～0.55、Ti满足0.45～0.60，且所述Zr与所述Ti的金属原子比的合计比例成为1，以氧化物浓度计，所述组合物100质量％中所占的所述PZT系前体的浓度为17～35质量％，所述组合物100质量％中的所述二醇的比例为16～56质量％，以单体换算计，所述聚乙烯吡咯烷酮的比例相对于所述PZT系前体1摩尔为0.005～0.25摩尔。
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