[发明专利]于半导体薄膜的应变松弛的异质外延中用于缺陷的有效深宽比捕捉的具倾角的沟槽的使用

摘要

本公开内容的实施方式涉及降低异质外延生长薄膜中的位错密度，以及包括具有降低的位错密度的异质外延薄膜的装置。根据本公开内容的实施方式，高深宽比沟槽的侧壁可倾斜或具有倾角，以允许形成于高深宽比沟槽中的结晶材料中的缺陷终止于倾斜的侧壁中，所述缺陷包括沿高深宽比沟槽的长度传播的缺陷。本公开内容的实施方式可用以减少微电子应用中硅(Si)上异质外延生长中的缺陷，诸如在场效应晶体管中使用第III族‑第V族元素的高迁移率通道。

主权项

1.一种包括具有降低的位错密度的异质外延膜的装置，所述装置包括：第一结晶材料；非结晶层，所述非结晶层在所述第一结晶材料上方形成，其中具有倾角的沟槽贯穿所述非结晶层而形成，以使得所述第一结晶材料处于所述具有倾角的沟槽的底部；第二结晶材料，所述第二结晶材料通过外延生长而在所述具有倾角的沟槽中形成，其中所述第一结晶材料和所述第二结晶材料具有失配晶格尺寸，且所述具有倾角的沟槽的侧壁在所述第一结晶材料的顶表面上的投影比所述具有倾角的沟槽的所述底部的投影长；以及所述第二结晶材料的在所述具有倾角的沟槽上方延伸的垂直部分，其中所述第二结晶材料的所述垂直部分具有比所述具有倾角的沟槽窄的宽度。