[发明专利]半导体装置用接合线有效
| 申请号： | 201580020010.4 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN106463495B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 小田大造;江藤基稀;斋藤和之;榛原照男;大石良;山田隆;宇野智裕 | 申请（专利权）人： | 日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/532;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种接合线，该接合线是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了在高温高湿环境中的球接合部的接合可靠性，适合于车载用装置。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材、和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，接合线包含合计为0.011～1.2质量％的Ga和/或Ge。由此，能够提高在高温高湿环境下的球接合部的接合寿命，改善接合可靠性。Pd被覆层的厚度优选为0.015～0.150μm。当接合线还含有分别为0.011～1.2质量％的Ni、Ir、Pt中的1种以上时，能够提高在175℃以上的高温环境中的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成包含Au和Pd的合金表皮层时，楔接合性改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 | ||
【主权项】：
一种半导体装置用接合线，其特征在于，具有Cu合金芯材、和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，所述接合线包含选自Ga、Ge之中的1种以上的元素，相对于线整体，所述元素的浓度合计为0.011～1.5质量％。
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