[发明专利]包括无机层中的高密度互连和有机层中的重分布层的集成器件有效
| 申请号： | 201580022679.7 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106463496B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | S·顾;R·拉多伊契奇;D·W·金;J·S·李 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L25/065;H01L21/48;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/14;H01L23/15;H01L23/498;H01L25/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 唐杰敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种集成器件(例如，集成封装)，其包括集成器件的基底部分、第一管芯(206)(例如，第一晶片级管芯)、和第二管芯(208)(例如，第二晶片级管芯)。基底部分包括第一无机电介质层(203)，位于第一无机电介质层中的第一组互连(280)，不同于第一无机电介质层的第二电介质层(202)，以及第二电介质层中的一组重分布金属层(230，240，250，260)。第一管芯耦合至基底部分的第一表面。第二管芯耦合至基底部分的第一表面，第二管芯通过第一组互连(280)电耦合至第一管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 无机 中的 高密度 互连 有机 分布 集成 器件 | ||
【主权项】：
1.一种集成器件，包括：所述集成器件的基底部分，所述基底部分包括：第一无机电介质层；所述第一无机电介质层中的第一组互连，其中所述第一组互连包括第一互连，所述第一互连包括：第一晶种层；耦合至所述第一晶种层的第一金属层；不同于所述第一无机电介质层的第二电介质层；以及所述第二电介质层中的第二组互连，所述第二组互连包括第二互连，其中所述第二互连包括：第二晶种层；以及耦合至所述第二晶种层的第二金属层，其中所述第二互连耦合至所述第一互连，以使得所述第二晶种层直接耦合至所述第一晶种层；耦合至所述基底部分的第一表面的第一管芯；以及耦合至所述基底部分的所述第一表面的第二管芯，所述第二管芯被配置成通过所述第一组互连电耦合至所述第一管芯。
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