[发明专利]压电性氧化物单晶基板有效
| 申请号： | 201580024395.1 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN106464228B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 丹野雅行;阿部淳;桑原由则 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/145 | 分类号： | H03H9/145;H01L41/187;H03H9/25 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;侯剑英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种翘曲小，无破裂、损伤，温度特性良好的用于表面声波元件等的压电性氧化物单晶基板。本发明是具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布曲线的压电性氧化物单晶基板，具体地说，具有在基板的厚度方向上越靠近基板表面则Li浓度越高，越靠近基板的厚度方向的中心部则Li浓度越减小的浓度分布曲线。另外，在本发明的压电性氧化物单晶基板中，从基板表面到Li浓度开始减小为止的范围或者到Li浓度结束增大为止的范围为伪化学计量组成，基板的厚度方向的中心部为大致同成分组成。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 氧化物 单晶基板 | ||
【主权项】：
1.一种压电性氧化物单晶基板，其特征在于，具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布曲线，并且具有上述基板表面和上述基板内部的拉曼位移峰的半值宽度的值不同的分布曲线，上述基板表面的拉曼位移峰的半值宽度的值与上述基板的厚度方向的中心部的半值宽度的值之差为1.0cm‑1以上。
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