[发明专利]用于将气体注入外延腔室的设备

摘要

本发明所述实施方式一般涉及用于在半导体装置上形成硅外延层的设备。可依序或同时提供沉积气体与蚀刻气体以改善外延层沉积特性。气体分配组件可与沉积气体源及蚀刻气体源耦接。在沉积气体与蚀刻气体提供至处理腔室的处理空间前，沉积气体与蚀刻气体可维持分开。气体分配组件的出口可经配置而将沉积气体与蚀刻气体以各式特性提供至处理空间中。在一个实施方式中，将蚀刻气体传送至处理空间的气体分配组件的出口可相对于基板表面而向上成角度。

主权项

一种注入衬垫设备，包括：第一表面，所述第一表面具有于所述第一表面中形成的第一多个出口，所述第一多个出口用于注入衬垫中形成的第一多个通道，其中所述第一多个通道中的一或多个往相对于第一轴的所述第一多个出口向上成角度；及第二表面，所述第二表面具有于所述第二表面中形成的第二多个出口，所述第二多个出口用于所述注入衬垫中形成的第二多个通道，其中所述第二多个出口与所述第一多个出口共面。