[发明专利]装置、特别是光学装置的晶片级制造有效
申请号: | 201580025271.5 | 申请日: | 2015-05-14 |
公开(公告)号: | CN106573460B | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | A·比特施;M·巴尔热 | 申请(专利权)人: | 新加坡恒立私人有限公司 |
主分类号: | B32B41/00 | 分类号: | B32B41/00;H01L23/28 |
代理公司: | 11280 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭广迅;李渤<国际申请>=PCT/SG2 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 用来将N≥2个第一元件(10)施加至基材(1)的第一侧的晶片级方法,其中所述基材(1)在所述第一侧具有第一表面(1a),所述方法包括:a)提供基材(1),其中至少N个阻挡件(40)存在于所述第一侧,并且其中所述N个阻挡件(40)中的每一个都与所述N个第一元件(10)中的一个相关联。而且,对于所述N个第一元件中的每一个而言,所述方法包括:b)使各个第一数量的呈可流动状态的可硬化材料(5)与所述第一表面(1a)接触,所述各个第一数量的可硬化材料(5)与所述各个第一元件(10)相关联;c)借助所述各个相关联的阻挡件(40)来控制所述各个相关联的第一数量的可硬化材料(5)在所述第一表面(1a)上的流动;d)使所述各个相关联的第一数量的可硬化材料(5)硬化。而且,对于所述N个第一元件(10)中的每一个而言,在步骤d)中在所述第一表面(1a)和所述各个元件(10)之间形成相互连接。 | ||
搜索关键词: | 装置 特别是 光学 晶片 制造 | ||
【主权项】:
1.一种用于将N≥2个第一元件施加至基材的第一侧的晶片级方法,所述基材在所述第一侧提供第一表面,所述方法包括:/na)提供所述基材,其中所述第一侧存在至少N个阻挡件,其中所述N个阻挡件中的每一个都与所述N个第一元件中的一个相关联,并且其中所述N个阻挡件中的每一个都突出超过由所述第一表面限定的平均高度;/n对于所述N个第一元件中的每一个而言,所述方法包括:/nb)使各个第一数量的呈可流动状态的可硬化材料与所述第一表面接触,所述各个第一数量的可硬化材料与所述各个第一元件相关联;/nc)借助所述各个相关联的阻挡件控制所述各个相关联的第一数量的可硬化材料在所述第一表面上的流动;/nd)使所述各个相关联的第一数量的可硬化材料硬化;/n其中,对于所述N个第一元件中的每一个而言,在步骤d)中在所述第一表面和所述各个第一元件之间形成相互连接;/n其中,所述阻挡件是由在基材上复制的第一元件来提供;/n对于所述N个第一元件中的每一个而言,该方法包括:/nr)借助压印式复制方法在所述第一表面产生所述第一元件;/n步骤r)包括:/nr1)使用用于使所述第一数量的可硬化材料的至少部分成形的复制工具;/nr2)在步骤d)期间或之后将所述复制工具从所述第一数量的可硬化材料移除。/n
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