[发明专利]半导体装置中形成为金属线互连件的凸块接合件

摘要

本发明涉及一种半导体功率芯片，其具有形成于半导体裸片(10)上的半导体功率装置(210、530、720、730、830、840)(例如，功率FET装置)；其中所述半导体功率装置(210、530、720、730、830、840)包括：导电接触元件(230A、230B、230C)阵列；钝化层(250)，其形成于所述多个导电接触元件(230A、230B、230C)上方，所述钝化层(250)包括多个所述导电接触元件(230A、230B、230C)上方的钝化开口(12、252)；及导电凸块(200、200a’、200c’、200e’、200A、200B’、200C)阵列，其包含一或多个互连凸块(200a’、200c’、200e’、200A、200B’、200C)，其中每一互连凸块(200a’、200c’、200e’、200A、200B’、200C)形成于所述钝化层(250)上方并延伸到所述钝化开口(12、252)中的至少两者中且与至少两个下伏导电接触元件(230A、230B、230C)接触，以借此提供所述至少两个下伏导电接触元件(230A、230B、230C)之间的导电耦合。所述导电接触元件(230A、230B、230C)阵列可包括至少一个栅极接触元件(230A)、至少一个漏极接触元件(230B)及至少一个源极接触元件(230C)。所述半导体功率芯片可进一步包括引线框架(104、510、610、710、810)，所述引线框架耦合到所述导电凸块(200、200a’、200c’、200e’、200A、200B’、200C)阵列，使得所述一或多个互连凸块(200a’、200c’、200e’、200A、200B’、200C)提供所述导电接触元件(230A、230B、230C)阵列的至少一部分与所述引线框架(104、510、610、710、810)之间的导电耦合。

主权项

1.一种半导体设备，其包括：导电接触元件阵列；钝化层，其形成于所述多个导电接触元件上方，所述钝化层包括多个所述导电接触元件上方的钝化开口；导电凸块阵列，其包含一或多个互连凸块，其中每一互连凸块形成于所述钝化层上方并延伸到所述钝化开口中的至少两者中且与至少两个下伏导电接触元件接触，以借此提供所述至少两个下伏导电接触元件之间的导电耦合；前侧漏极连接；前侧源极连接，其与所述前侧漏极连接在相同的源极金属的单元中；以及仅单个金属互连层，所述单个金属互连层包含所述导电接触元件阵列；其中所述前侧源极连接以及所述前侧漏极连接被相同的导电凸块所覆盖。