[发明专利]半导体装置、以及半导体装置的制造方法

摘要

半导体装置包括：第一晶闸管，从半导体基板的第一面一侧朝第二面依次接合有第一导电型的第一区域、第二导电型的第二区域、第一导电型的第三区域、以及第二导电型的第四区域，并且从第一电极向第二电极流经电流；第二晶闸管，从第二面一侧朝第一面依次接合有第三区域、第二区域、第一区域、以及第二导电型的第五区域，并且从第二电极向第一电极流经电流；第二导电型的第六区域，被第一区域内含后与第一面接触，并且，与第五区域分离后形成；栅电极，被形成在第一区域以及第六区域上；第一导电型的第七区域，被第一区域内含后与第一面接触，并且，与第六区域分离后形成，同时，掺杂物浓度高于第一区域；以及第一导电型的第八区域，与第三区域的第二面一侧以及第四区域接触，并且，与第二面接触后形成，并且掺杂物浓度高于第三区域。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：第一晶闸管，从具有第一面以及与所述第一面相反一侧的第二面的半导体基板的所述第一面一侧朝所述第二面依次接合有第一导电型的第一区域、第二导电型的第二区域、所述第一导电型的第三区域、以及所述第二导电型的第四区域，并且从与所述第一区域电气连接后形成于所述第一面的第一电极，向与所述第四区域电气连接后形成于所述第二面的第二电极流经电流；第二晶闸管，从所述第二面一侧朝所述第一面依次接合有所述第三区域、所述第二区域、所述第一区域、以及被所述第一区域内含后与所述第一面接触形成的所述第二导电型的第五区域，并且从所述第二电极，向与所述第五区域电气连接的所述第一电极流经电流；所述第二导电型的第六区域，被所述第一区域内含后与所述第一面接触，并且，与所述第五区域分离后形成；栅电极，将所述第一区域以及所述所述第六区域电气连接后形成于所述第一面；所述第一导电型的第七区域，被所述第一区域内含后与所述第一面接触，并且，与所述第六区域分离后形成，同时，通过所述第一电极与所述第五区域电气连接，并且掺杂物浓度高于所述第一区域；以及所述第一导电型的第八区域，与所述第三区域的所述第二面一侧以及所述第四区域接触，并且，与所述第二面接触后形成，通过所述第二电极与所述第四区域电气连接，并且掺杂物浓度高于所述第三区域。