[发明专利]光电子半导体芯片及其制造方法

摘要

半导体芯片（1）包括具有n导通的层序列（21）以及p导通的层序列（23）和位于其间的用于产生电磁辐射的有源区（22）的半导体层序列（2）。此外，在半导体层序列（2）中，蚀刻标志层（24）位于p导通的层序列（23）中或上。此外，半导体层序列（3）上的蚀刻结构（3）位于蚀刻标志层（24）的背向有源区（22）的侧上。蚀刻结构（3）伸展至少直至蚀刻标志层（24）中。蚀刻标志层（24）具有标志成分，该标志成分在朝向蚀刻结构（3）的方向上与蚀刻标志层（24）相邻的层（25）中不存在或减少。

主权项

1.一种光电子半导体芯片（1），所述光电子半导体芯片是发光二极管，所述光电子半导体芯片具有半导体层序列（2），其中所述半导体层序列（2）具有：‑ n导通的层序列（21），‑ p导通的层序列（23），‑ 有源区（22），所述有源区处于n导通的层序列（21）和p导通的层序列（23）之间，‑ 在p导通的层序列（23）中和/或在n导通的层序列（21）中的至少一个蚀刻标志层（24），以及‑ 在蚀刻标志层（24）的背向有源区（22）的侧上的蚀刻结构（3），其中‑ 蚀刻结构（3）伸展至少直至蚀刻标志层（24）中，‑ 蚀刻标志层（24）具有标志成分，‑ 所述有源区（22）被设置用于产生辐射并且基于InAlGaP或InAlGaAs，‑ 蚀刻标志层（24）位于p导通的层序列（23）中并且基于In1‑x‑yAlyGaxP或In1‑x‑yAlyGaxAs，其中x + y <1，‑ 所述标志成分是Ga并且0.005≤x≤0.2，‑ 在朝向蚀刻结构（3）的方向上与蚀刻标志层（24）相邻的层（25）中不存在标志成分，‑ 蚀刻标志层（24）的厚度在50nm（含50nm）和800nm之间，以及‑ 通过蚀刻结构（3）至少部分地去除蚀刻标志层（24）的材料。