[发明专利]半导体封装体及其制造方法有效
| 申请号： | 201580027795.8 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106415822B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 宫川健志;纪元德;石原庸介 | 申请（专利权）人： | 电化株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10;C22C5/06;C22C5/08;C22C26/00;C22C30/02;C22C30/06;H01L23/373;H01L23/40 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘多益;董庆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供低廉且散热性优异的半导体封装体。根据本发明，提供一种半导体封装体，其为依次层叠有散热构件、接合层、绝缘构件的半导体封装体，其特征为所述散热构件包括含有金刚石粒子与含铝金属的铝‑金刚石系复合体，将所述散热构件和所述绝缘构件接合的所述接合层使用包含平均粒径为1nm以上并且100μm以下的氧化银微粒或者有机覆膜银微粒的复合材料而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
半导体封装体，其为依次层叠有散热构件、接合层、绝缘构件的半导体封装体，其特征为：所述散热构件包括含有金刚石粒子与含铝金属的铝‑金刚石系复合体，将所述散热构件和所述绝缘构件接合的所述接合层为使用包含平均粒径为1nm以上并且100μm以下的氧化银微粒或者有机覆盖膜银微粒的复合材料而形成的。
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