[发明专利]使用半导体结构和超晶格的高级电子装置结构有效
| 申请号： | 201580027846.7 | 申请日： | 2015-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN106537617B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | P.阿塔纳科维奇;M.戈弗雷 | 申请（专利权）人： | 斯兰纳UV科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本文公开了半导体结构和用于形成这些半导体结构的方法。例如，公开了p型或n型半导体结构。所述半导体结构具有极性晶体结构，所述极性晶体结构具有大致上平行于所述极性晶体结构的自发极化轴的生长轴。所述半导体结构的成分沿所述生长轴从较宽带隙(WBG)材料改变成较窄带隙(NBG)材料，或者从NBG材料改变成WBG材料，以诱发p型或n型导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 半导体 结构 晶格 高级 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种形成p型或n型半导体结构的方法，所述方法包括：沿生长轴生长具有极性晶体结构的半导体，所述生长轴平行于所述晶体结构的自发极化轴；以及沿所述生长轴将所述半导体的成分单调地从较宽带隙材料改变成较窄带隙材料，或者从较窄带隙材料改变成较宽带隙材料，以诱发p型或n型传导性。
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