[发明专利]对氧化物的选择性优于对多晶硅和氮化物选择性的具高移除速率及低缺陷率的CMP组合物

摘要

本发明提供了化学机械抛光组合物，其含有：铈土研磨剂；以及式I聚合物，在所述式I中，X¹和X²、Y¹和Y²、Z¹和Z²、R¹、R²、R³和R⁴、及m是如本文中所定义的；以及水，其中，该抛光组合物具有约1至约4.5的pH值。本发明还提供了使用本发明的化学机械抛光组合物来化学机械抛光基材的方法。典型地，该基材含有硅氧化物、硅氮化物、和/或多晶硅。

主权项

1.化学机械抛光组合物，包含：(a)0.05重量％至10重量％的铈土研磨剂，(b)10ppm至1000ppm的式I聚合物：其中X1和X2独立地选自O、C、及S，Y1和Y2独立地选自OH、C1‑C10烷基、及式CxHyFz的基团，R1、R2、R3和R4独立地选自氢、F、C1‑C10烷基、C6‑C10芳基、及杂芳族基，x为1至20的整数，z为1至41的整数，y＝2x‑z+1，m为3至500的整数，且Y1或Y2中的至少一者为CxHyFz，或者，R1‑R4中的至少一者为F，以及(c)水，其中该抛光组合物具有1至4.5的pH值。