[发明专利]结晶多纳米片应变沟道FET及其制造方法有效
| 申请号： | 201580029454.4 | 申请日： | 2015-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN106463543B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 博尔纳.J.奥布拉多维奇;罗伯特.C.鲍恩;马克.S.罗德尔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管，包括具有应变结晶半导体沟道区的主体层以及在沟道区上的栅极堆叠。栅极堆叠包括与沟道区晶格失配的结晶半导体栅极层以及在栅极层和沟道区之间的结晶栅电介质层。相关的器件和制造方法也被讨论。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 纳米 应变 沟道 fet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：包括多个独立栅控的导电沟道的纳米片堆叠，该独立栅控的导电沟道分别包括结晶半导体沟道层、在所述沟道层上的结晶电介质层、和在所述栅电介质层上与所述沟道层相对的结晶半导体栅极层，其中所述纳米片堆叠通过其的所述层中的层之间的晶格失配而受应变。
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