[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201580031266.5 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106663631B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 胁本节子 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/12;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供提高被覆多晶硅电极的层间绝缘膜的阶梯被覆性，提高绝缘耐压的碳化硅半导体装置及其制造方法。所述制造方法包括：在碳化硅基板上形成栅极绝缘膜的工序；在上述栅极绝缘膜上形成多晶硅膜的工序；将选自N、P、As、Sb、B、Al、Ar中的1种或2种以上掺杂剂以离子方式注入到上述多晶硅膜的工序；在上述多晶硅膜上选择性地形成掩模的工序；利用各向同性干式蚀刻除去上述多晶硅膜的露出部分，可以形成被多晶硅电极的与栅极绝缘膜接触的下表面和多晶硅电极的侧面所夹的下端部的倾斜角为60°以下的多晶硅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在碳化硅基板上形成栅极绝缘膜的工序；在所述栅极绝缘膜上形成多晶硅膜的工序；将选自N、P、As、Sb、B、Al、Ar中的1种或2种以上掺杂剂以离子方式注入到所述多晶硅膜的工序；除去所述多晶硅膜的表面层厚度50nm以上到300nm以下的工序；在所述多晶硅膜上选择性地形成掩模的工序；利用各向同性干式蚀刻除去所述多晶硅膜的露出部分而形成多晶硅电极的工序；除去所述掩模的工序；以及在所述多晶硅电极上形成层间绝缘膜的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580031266.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
