[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201580032469.6 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106415826A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 矶部裕史 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 田喜庆,吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本技术涉及能够抑制半导体器件的翘曲的半导体器件以及制造半导体器件的方法。脱模剂(101)涂布于上芯片(11)的侧面部分。因此，当涂布用于保护凸块(21)的密封树脂(31)时，上芯片(11)与下芯片(12)之间的凸块(21)得到保护，并且由于脱模剂(101)，其成填角形状突出的一部分不会粘附至上芯片(11)的侧面部分，并且因此形成间隙(111)。因此，即使伴随上芯片(11)的侧面部分与下芯片(12)的上表面之间的密封树脂(31)的干燥而出现收缩，也不会产生使下芯片(12)翘曲的压力，因此可以抑制翘曲。该技术可应用于半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：上半导体芯片；下半导体芯片；凸块，将所述上半导体芯片连接至所述下半导体芯片；密封树脂，保护所述凸块；以及间隙，形成在填角形区域与所述上半导体芯片的侧面和所述下半导体芯片的上表面中的任一个之间，所述填角形区域从所述密封树脂的存在所述凸块的区域突出。
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