[发明专利]用于构造空腔的方法以及具有空腔的构件

摘要

本发明涉及在硅衬底内构造空腔的方法，其中，硅衬底的表面相对于第一平面具有倾斜角，第一平面为硅衬底的{111}平面，在硅衬底的表面上布置蚀刻掩模。蚀刻掩模具有伸进掩模开口内的第一前置结构和第一蚀刻开端区域。掩模开口在第一蚀刻开端区域外的其他棱边布置为平行于硅衬底的{111}平面。所述方法包括在确定的蚀刻持续时间内各向异性地蚀刻硅衬底的步骤。朝向硅衬底的<111>方向的蚀刻速率小于朝向其他方向的蚀刻速率，第一前置结构从第一蚀刻开端区域出发朝向第一侧蚀方向侧蚀。蚀刻持续时间这样确定：通过各向异性蚀刻在硅衬底内构造空腔，经过该蚀刻持续时间之后，硅衬底的第一平面露出并构成空腔的底面。

主权项

1.一种用于在硅衬底(1)内构造空腔的方法，其中，所述方法包括以下步骤：提供所述硅衬底(1)，其中，所述硅衬底(1)的表面(3)相对于所述硅衬底(1)的第一平面(5)具有倾斜角(7)，其中，所述第一平面(5)是所述硅衬底(1)的{111}平面；在所述硅衬底(1)的表面(3)上布置蚀刻掩模(200，201，202，203)，其中，所述蚀刻掩模(200，201，202，203)具有掩模开口(210)，该掩模开口具有第一横棱边(211)和与所述第一横棱边(211)平行的第二横棱边(212)；其中，在所述硅衬底(1)的第一平面(5)内布置所述第一横棱边(211)；其中，所述蚀刻掩模(200，201，202，203)具有伸进所述掩模开口(210)内的第一前置结构(220，300)；其中，所述蚀刻掩模(200，201，202，203)具有第一蚀刻开端区域(222)；以及其中，将所述掩模开口(210)的在所述第一蚀刻开端区域(222)以外的所有其他棱边(215)布置为与所述硅衬底(1)的{111}平面基本上平行；在确定的蚀刻持续时间期间各向异性地蚀刻所述硅衬底(1)；其中，朝向所述硅衬底的{111}方向的蚀刻速率小于朝向其他空间方向的蚀刻速率；其中，从所述第一蚀刻开端区域(222)出发朝向第一侧蚀方向(8)地侧蚀所述第一前置结构(220，300)；其中，所述第一侧蚀方向(8)定向为与所述掩模开口(210)的第一横棱边(211)和第二横棱边(212)平行；其中，所述蚀刻持续时间这样确定，使得通过各向异性蚀刻在所述硅衬底(1)内构造空腔(100)，所述空腔在所述硅衬底(1)的表面(3)上具有开口(110)；其中，所述空腔(100)的开口(110)在两侧上通过所述掩模开口(210)的第一横棱边(211)和第二横棱边(212)限界，并且在另一侧上通过与所述第一和第二横棱边(211，212)垂直的第一纵棱边(113)限界，该第一纵棱边通过所述第一前置结构(220)的侧蚀来制造；以及其中，所述蚀刻持续时间还这样确定，使得在该蚀刻持续时间结束之后，所述硅衬底(1)的第一平面(5)基本露出并且构成所述空腔(100)的底面(115)。