[发明专利]半导体激光装置有效

专利信息
申请号: 201580033757.3 申请日: 2015-07-09
公开(公告)号: CN106663915B 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 吉田隆幸;王静波 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024;H01L23/473
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴秋明
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明所涉及的半导体激光装置具有冷却板、绝缘片、第1冷却块和第1半导体激光元件。冷却板在内部具有彼此独立的供水路径和排水路径,是导电性的。绝缘片设置在冷却板上,具有与供水路径连接的第1贯通孔和与排水路径连接的第2贯通孔。第1冷却块设置在绝缘片上,在内部具有与第1贯通孔以及第2贯通孔连接的第1管,是导电性的。第1半导体激光元件设置在第1冷却块上。第1半导体激光元件具有第1电极以及与第1电极相反一侧的第2电极。第1电极与第1冷却块电连接,冷却板处于浮动电位。
搜索关键词: 半导体 激光 装置
【主权项】:
1.一种半导体激光装置,具备:导电性的冷却板,其在内部具有彼此独立的供水路径和排水路径;绝缘片,其设置在所述冷却板之上,具有与所述供水路径连接的第1贯通孔和与所述排水路径连接的第2贯通孔;导电性的第1冷却块,其设置在所述绝缘片之上,在内部具有与所述第1贯通孔以及所述第2贯通孔连接的第1管;和第1半导体激光元件,其设置在所述第1冷却块之上,所述第1半导体激光元件具有第1电极以及与所述第1电极相反一侧的第2电极,所述第1电极与所述第1冷却块电连接,所述冷却板处于浮动电位。
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