[发明专利]具有L形栅极的分栅半导体器件有效
| 申请号： | 201580034763.0 | 申请日： | 2015-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN106663698B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 斯科特·贝尔;C·陈;薛磊;S·房;安吉拉·惠 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种具有衬底、衬底上的介电层、第一栅极导体、栅极间介电结构和第二栅极导体的半导体器件。栅极介电结构布置在第一栅极导体和介电层之间，并且可包括两个或更多个以交替方式布置的介电薄膜。栅极间介电结构可设置在第一栅极导体和第二栅极导体之间，并且可包括两个或更多个以交替方式布置的介电薄膜。第二栅极导体形成为L形，使得第二栅极具有相对低的纵横比，其允许减小相邻栅极之间的间隔，同时保持栅极与可后续形成的触点之间的需要的电气隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成介电层；形成具有第一栅极导体和在所述第一栅极导体与所述介电层之间的栅极介电结构的栅极堆叠；在所述栅极堆叠的侧壁处形成栅极间介电结构；以及形成与所述栅极间介电结构相邻且在所述介电层上的L形第二栅极导体。
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