[发明专利]用于宽带隙半导体装置的包覆成型封装有效
| 申请号： | 201580034831.3 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106463482B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | S·伍德;C·荷曼森 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/495 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种晶体管封装，包括引线框和附接到该引线框的氮化镓(GaN)晶体管。该引线框和GaN晶体管被包覆成型件包围，包覆成型件具有大于大约135℃的玻璃转变温度和小于大约20Gpa的弯曲模量。使用玻璃转变温度大于大约135℃并且弯曲模量小于大约20Gpa的包覆成型件，允许包覆成型件处理由GaN晶体管产生的热量，同时防止由于包覆成型件热膨胀和/或收缩导致的对GaN晶体管的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 宽带 半导体 装置 成型 封装 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管封装，包括：引线框；使用烧结的管芯附接材料附接到所述引线框的宽带隙半导体装置，所述烧结的管芯附接材料具有大于40W/m‑K且小于200W/m‑K的体热导率和小于20GPa的弯曲模量，以及包覆成型件，至少部分地围绕所述引线框成型并且至少部分地包围所述宽带隙半导体装置，所述包覆成型件具有大于135℃的玻璃转变温度和小于20GPa的弯曲模量，其中所述包覆成型件在高于所述玻璃转变温度的温度处具有小于50ppm/℃的热膨胀系数，以及在低于所述玻璃转变温度的温度处具有小于18ppm/℃的热膨胀系数。
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