[发明专利]用于选择性沉积的方法与设备有效
| 申请号： | 201580036453.2 | 申请日： | 2015-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN106663632B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | E·Y·叶;S·D·内马尼;L·戈代;范寅;T·马 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供针对鳍式场效晶体管(FinFET)的利用选择性沉积工艺形成具有多个期望材料的鳍片结构的方法，该期望材料形成在该鳍片结构的不同位置上。在一实施例中，在基板上形成具有期望材料的结构的方法包括在具有三维(3D)结构形成于上的基板上沉积第一材料，同时进行布植工艺来掺杂3D结构的第一区域。移除第一材料，并且在3D结构上沉积第二材料。第二材料可在3D结构的第二区域上选择性地生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 选择性 沉积 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于在基板上形成结构的方法，所述方法包含下列步骤：进行布植工艺，以掺杂形成在基板上的3D结构的第一区域，同时在所述3D结构上沉积第一材料；移除所述第一材料；及在所述3D结构上沉积第二材料，其中所述第二材料在所述3D结构的第二区域上选择性地生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
